特許
J-GLOBAL ID：200903010995517206

光起電力素子

発明者：
中島 武

中島 武 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-083805
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296551
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】出力特性が向上された光起電力素子を提供することである。【解決手段】n型単結晶シリコン基板1の主面上にi型非晶質シリコン膜2およびp型非晶質シリコン膜3が順に形成されている。p型非晶質シリコン膜3上に表面電極4が形成され、表面電極4上にくし形の集電極5が形成されている。n型単結晶シリコン基板1の裏面には、i型非晶質シリコン膜6およびn型非晶質シリコン膜7が順に形成されている。n型非晶質シリコン膜7上に裏面電極8が形成され、裏面電極8上にくし形の集電極9が形成されている。i型非晶質シリコン膜6は、n型単結晶シリコン基板1側のi層61およびn型非晶質シリコン膜7側のi層62からなる2層構造を有する。i層62はi層61よりも小さな光学ギャップを有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の結晶系半導体と、 真性の第1の非晶質系半導体膜と、 前記第1導電型と同じまたは逆の第2導電型の第2の非晶質系半導体膜とを順に備え、 前記第1の非晶質系半導体膜は、前記結晶系半導体側から前記第2の非晶質系半導体膜側へ第1の層および第2の層を順に含み、 前記第2の層は、前記第1の層における最大の光学ギャップよりも小さい光学ギャップを有することを特徴とする光起電力素子。
IPC (1件)：
H01L31/04
FI (1件)：
H01L31/04 N
Fターム (11件)：
5F051AA02 ,  5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA15 ,  5F051DA04 ,  5F051DA20 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 光起電力装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-268199   出願人：三洋電機株式会社
  • 半導体装置とその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-221178   出願人：キヤノン株式会社
  • 特開昭63-283076
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審査官引用 (16件)
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