特許
J-GLOBAL ID：200903035007033170
光起電力装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-005071
公開番号（公開出願番号）：特開2004-304160
出願日： 2004年01月13日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：
【課題】出力特性を向上させることが可能な光起電力装置を提供する。【解決手段】この光起電力装置は、n型単結晶シリコン基板1と、n型単結晶シリコン基板1の表面上に形成され、実質的に真性なi型非晶質シリコン層2aと、i型非晶質シリコン層2aの表面上に形成されたp型非晶質シリコン層2bとを備え、i型非晶質シリコン層2a中に水素濃度のピークを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
結晶系半導体と、
前記結晶系半導体の表面上に形成され、実質的に真性な第1非晶質半導体層と、
前記第1非晶質半導体層の表面上に形成された第1導電型の第2非晶質半導体層とを備え、
前記第1非晶質半導体層中に水素濃度のピークを有する、光起電力装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L31/04 V
, H01L31/04 Y
, H01L31/04 W
, H01L27/14 A
4M118AA10
, 4M118AB10
, 4M118BA06
, 4M118CA03
, 4M118CA05
, 4M118CA14
, 4M118CB06
, 4M118CB14
, 4M118EA01
, 5F051AA02
, 5F051AA05
, 5F051CA03
, 5F051CA07
, 5F051CA16
, 5F051CA35
, 5F051CA36
, 5F051CA37
, 5F051CA40
, 5F051DA04
, 5F051DA20
