成膜方法及び成膜装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-201535
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047634
出願日： 2002年07月10日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】本発明は、残留炭素などの不純物濃度を低下させることを可能とした、良質な金属酸化膜を得ることができる成膜方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、有機金属化合物を原料として金属酸化膜を成膜する成膜方法であって、活性化した酸素ガスを第1の流路を介して処理容器に供給する工程と、該工程と同時若しくは該工程の後又は該工程の最中に、上記処理容器に第2の流路を介して有機金属ガスを供給する工程とを含むことを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

有機金属化合物を原料として金属酸化膜を成膜する成膜方法であって、活性化した酸素ガスを第1の流路を介して処理容器に供給する工程と、該工程と同時に、上記処理容器に第2の流路を介して有機金属ガスを供給する工程とを含むことを特徴とする、成膜方法。

IPC (3件)：

H01L21/31 , C23C16/18 , H01L21/316

FI (3件)：

H01L21/31 C , C23C16/18 , H01L21/316 X

Fターム (18件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA01 , 4K030BA42 , 4K030FA14 , 5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045AC00 , 5F045AC08 , 5F045AC11 , 5F045BB14 , 5F045DP03 , 5F045DP04 , 5F045EB02 , 5F045EH18 , 5F058BC03 , 5F058BF07 , 5F058BG02

引用特許：

審査官引用 (5件)

化合物薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-055544 出願人：株式会社東芝
基板処理装置および処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-244730 出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社ケミトロニクス
半導体装置の製造方法および半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-238845 出願人：株式会社東芝

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