特許
J-GLOBAL ID：200903018639852859

半導体デバイス、半導体デバイスの製造方法及び製造装置

発明者：
八木 茂

八木 茂 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-338149
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012902
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 低温で短時間に高効率で生産可能な半導体デバイスの製造方法及び製造装置並びにこれにより製造された高品質で高機能の半導体デバイスの提供。【解決手段】 耐熱温度600°C以下の基板上に、周期律表におけるIII A族元素から選択される1以上の元素と窒素原子とを含み、かつ、室温においてバンド端でのフォトルミネッセンスを発生する窒化物系化合物による膜を設けたことを特徴とする半導体デバイスである。また、窒素化合物を連続的に活性化しながら、この活性化された雰囲気にIII A族元素から選択される1以上の元素を含む有機金属化合物を間欠的に導入して、窒素及び前記III A族元素を含む窒化物系化合物による膜を基板上に形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。
請求項（抜粋）：
耐熱温度600°C以下の基板上に、周期律表におけるIII A族元素から選択される1以上の元素と窒素原子とを含み、かつ、室温においてバンド端でのフォトルミネッセンスを発生する窒化物系化合物による膜を設けたことを特徴とする半導体デバイス。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/323
FI (4件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 673 ,  H01L 31/10 A
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (4件)
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