特許
J-GLOBAL ID:200903055307126790
ジルコニウム酸化物および薄膜の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-005774
公開番号(公開出願番号):特開平11-268913
出願日: 1999年01月12日
公開日(公表日): 1999年10月05日
要約:
【要約】【課題】結晶化によって安定化させる加熱工程を必要とせず、簡単な装置を用いて、有機物基板など様々な基材表面上に、また、大面積の基材表面上にも、多孔質などの複雑形状の基材表面上にも、小さい粒子からなる緻密な薄膜を容易に形成できる、ジルコニウム酸化物を含む薄膜の製造方法と、NO還元触媒としてでき、高温での加熱工程を必要とせず、簡易な装置で合成することのできる硫酸根を含むジルコニウム酸化物の製造方法を提供することである。【解決手段】硫酸ジルコニウムをアルコールに溶解し、その溶液中に基材を浸漬させ、該基材上にジルコニウム酸化物あるいはその薄膜を形成させることにより、加熱工程等を必要とせずに、ジルコニウム酸化物および薄膜を製造する。
請求項(抜粋):
硫酸ジルコニウムをアルコールに溶解し、その溶液中に基材を浸漬させ、該基材上にジルコニウム酸化物薄膜を形成させることを特徴とするジルコニウム酸化物薄膜の製造方法。
引用特許:
前のページに戻る