特許
J-GLOBAL ID：200903055328841082

マスクブランクス用ガラス基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
小池 今朝広

小池 今朝広 について


出願人/特許権者：
HOYA株式会社

HOYA株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-077232
公開番号（公開出願番号）：特開2004-310067
出願日： 2004年03月17日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】 局所加工が施されたガラス基板表面を研磨するにあたり、研磨工程における表面欠陥の発生や表面粗さの悪化を防止する。【解決手段】 ガラス基板表面の凹凸形状を測定する凹凸形状測定工程と、凹凸形状測定工程で得られた測定結果にもとづいて、ガラス基板表面に存在する凸部位の凸度を特定するとともに、この凸度に応じた加工条件で凸部位に局所加工を施すことにより、ガラス基板表面の平坦度を所定の基準値以下に制御する平坦度制御工程と、平坦度制御工程の後、局所加工が施されたガラス基板表面を研磨する研磨工程とを有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、平坦度制御工程の後で、かつ、研磨工程の前に、局所加工が施されたガラス基板表面に酸又はアルカリ処理を施す。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
マスクブランクス用ガラス基板表面の凹凸形状を測定する凹凸形状測定工程と、 前記凹凸形状測定工程で得られた測定結果にもとづいて、前記ガラス基板表面に存在する凸部位の凸度を特定するとともに、この凸度に応じた加工条件で前記凸部位に局所加工を施すことにより、前記ガラス基板表面の平坦度を所定の基準値以下に制御する平坦度制御工程と、 前記平坦度制御工程の後、前記局所加工が施された前記ガラス基板表面を研磨する研磨工程と、 を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、 前記平坦度制御工程の後で、かつ、前記研磨工程の前に、前記局所加工が施された前記ガラス基板表面に、酸処理を施すことを特徴とするマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。
IPC (3件)：
G03F1/14 ,  C03C15/00 ,  H01L21/027
FI (3件)：
G03F1/14 A ,  C03C15/00 B ,  H01L21/30 502P
Fターム (6件)：
2H095BA01 ,  2H095BC26 ,  4G059AA08 ,  4G059AC03 ,  4G059BB04 ,  4G059BB11
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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