特許

J-GLOBAL ID：200903093387055022

フォトマスクの洗浄方法および洗浄装置

発明者： 永村 美一 ,  吉岡 信行 ,  碓井 穂積 ,  山中 弘次
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  株式会社渡邊商行 ,  オルガノ株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-331797
公開番号（公開出願番号）：特開平11-167195
出願日： 1997年12月02日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】 残留硫酸や異物の除去効果が高く、また、位相シフトフォトマスクの遮光膜(MoSiON膜)の透過率等に変動を与えることなく異物除去を効果的に行うことのできるフォトマスクの洗浄方法を得る。【解決手段】 半導体製造の写真製版工程において原盤として使用されるフォトマスクの表面に存在する有機物を分解し、また金属不純物を除去するために高温の硫酸と過酸化水素水の混合液を用いて洗浄する第一の工程と、フォトマスクの表面に残留する残留硫酸を除去する第二の工程と、フォトマスクの表面に付着した異物を除去する第三の工程と、第一、第二および第三の工程が終了したフォトマスクを乾燥する第四の工程とを備えたフォトマスクの洗浄方法であって、第二の工程はアノード水を用いてフォトマスクの表面に残留する残留硫酸を除去し、第三の工程はカソード水を用いて異物を除去する。

請求項（抜粋）：

半導体製造の写真製版工程において原盤として使用されるフォトマスクの表面に存在する有機物を分解し、また、金属不純物を除去するために高温の硫酸と過酸化水素水の混合液を用いて洗浄する第一の工程と、上記フォトマスクの表面に残留する残留硫酸を除去する第二の工程と、上記フォトマスクの表面に付着した異物を除去する第三の工程と、上記第一、第二および第三の工程が終了した上記フォトマスクを乾燥する第四の工程とを備えたフォトマスクの洗浄方法であって、上記第二の工程は、アノード水を用いて上記フォトマスクの表面に残留する残留硫酸を除去することを特徴とするフォトマスクの洗浄方法。

IPC (7件)：

G03F 1/08 ,  B08B 3/08 ,  B08B 3/12 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 651

FI (7件)：

G03F 1/08 X ,  B08B 3/08 A ,  B08B 3/12 A ,  H01L 21/304 642 B ,  H01L 21/304 642 Z ,  H01L 21/304 651 J ,  H01L 21/30 503 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電子部品等の洗浄方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-265811   出願人：日本電気株式会社, オルガノ株式会社
• 基板洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-094985   出願人：ソニー株式会社
• ウエット処理方法およびウエット処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-092427   出願人：株式会社フロンテック