特許
J-GLOBAL ID:200903055335737398
ポジ型ホトレジスト組成物
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
曾我 道照 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-302552
公開番号(公開出願番号):特開2000-131835
出願日: 1998年10月23日
公開日(公表日): 2000年05月12日
要約:
【要約】【課題】 高温ベークに施されても昇華物が発生しにくく、感度、解像性に優れるとともに、残膜率の高い矩形に近いレジストパターンを形成し得るポジ型ホトレジスト組成物の提供。【解決手段】 (a)少なくともp-クレゾールを含むフェノール類を酸触媒下アルデヒド類と反応させて得られる非ハイオルソ型のクレゾールノボラック樹脂および(b)キノンジアジド基含有化合物を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物において、(a)成分中のp-クレゾールの2核体含有量がGPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー)法において2.0重量%未満であることを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。
請求項(抜粋):
(a)少なくともp-クレゾールを含むフェノール類を酸触媒下アルデヒド類と反応させて得られる非ハイオルソ型のクレゾールノボラック樹脂および(b)キノンジアジド基含有化合物を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物において、(a)成分中のp-クレゾールの2核体含有量がGPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー)法において2.0%未満であることを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。
IPC (4件):
G03F 7/023 511
, G03F 7/004 501
, G03F 7/022
, H01L 21/027
FI (4件):
G03F 7/023 511
, G03F 7/004 501
, G03F 7/022
, H01L 21/30 502 R
Fターム (14件):
2H025AA00
, 2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA10
, 2H025AB14
, 2H025AB17
, 2H025AC01
, 2H025AC04
, 2H025AD03
, 2H025BE01
, 2H025CB29
, 2H025CB56
, 2H025CC20
引用特許: