特許
J-GLOBAL ID：200903055339338447

絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法

発明者：
高谷 秀史

高谷 秀史 について

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濱田 公守

濱田 公守 について

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宮城 恭輔

宮城 恭輔 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人コスモス特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-062602
公開番号（公開出願番号）：特開2007-242852
出願日： 2006年03月08日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】高耐圧であるとともに,交流動作時に良好なオン抵抗特性が得られる絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置100は,上面側から順に,P- ボディ領域41,N- ドリフト領域12を有している。また,P- ボディ領域41を貫通するゲートトレンチ21,終端トレンチ62が形成されている。各トレンチの底部は,P拡散領域51,53に囲まれている。ゲートトレンチ21は,ゲート電極22を内蔵している。また,ゲートトレンチ21の長手方向の端部と接し,P- ボディ領域41およびP拡散領域51よりも低濃度のP--拡散領域52が形成されている。P--拡散領域52は,ゲート電圧のオフ時に,P拡散領域51よりも先に空乏化される。また,P--拡散領域52は,ゲート電圧のオン時にはP拡散領域51に対するホール供給路となる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板内の上面側に位置し第1導電型半導体であるボディ領域と,前記ボディ領域の下面と接し第2導電型半導体であるドリフト領域とを有する絶縁ゲート型半導体装置において, 半導体基板の上面から前記ボディ領域を貫通するトレンチ部と, 前記トレンチ部の側壁に位置するゲート絶縁膜と, 前記トレンチ部内に位置し,前記ボディ領域と前記ゲート絶縁膜を挟んで対面するゲート電極と, 前記ゲート電極よりも下方に位置し,前記ドリフト領域に囲まれるとともに前記トレンチ部の底部を包囲し,第1導電型半導体である埋め込み拡散領域と, 前記ボディ領域および前記埋め込み拡散領域と連接し,前記埋め込み拡散領域よりも低濃度であり,第1導電型半導体である低濃度拡散領域とを有することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/12
FI (10件)：
H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 652G ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652R ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652T
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)
  • 特開平1-310576
  • 絶縁ゲート半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-331321   出願人：関西電力株式会社, 株式会社日立製作所
  • 絶縁ゲート型半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-103151   出願人：株式会社東芝

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