特許
J-GLOBAL ID：200903055347827589

高分子材料の合成方法、高分子薄膜の形成方法及び層間絶縁膜の形成方法

発明者：
青井 信雄

青井 信雄 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  後藤 高志 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-099904
公開番号（公開出願番号）：特開2004-002787
出願日： 2003年04月03日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】膜中に分子レベルのサイズを持つ空孔を有し且つ高い架橋密度を有する有機高分子膜を確実に形成できるようにする。【解決手段】溶液中において、ルイス酸である第1のモノマーとルイス塩基である第2のモノマーとをルイス酸塩基反応させることにより、第1のモノマーと第2のモノマーとが弱い電気的相互作用により結合してなるモノマー付加体を生成する。次に、モノマー付加体を含む溶液を基板上に塗布して、モノマー付加体よりなる超分子固体薄膜を形成した後、該超分子固体薄膜を加熱して、超分子固体薄膜の内部において第1のモノマーと第2のモノマーとを重合反応させることにより、高分子薄膜を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
溶液状態のルイス酸とルイス塩基とを酸塩基相互作用により自己組織化させることによって超分子構造を形成する工程と、 前記超分子構造を構成する前記ルイス酸と前記ルイス塩基とを前記超分子構造を重合の反応場として重合させることによって重合体の立体構造を生成する工程とを備えていることを特徴とする高分子材料の合成方法。
IPC (2件)：
C08G73/06 ,  H01L21/312
FI (2件)：
C08G73/06 ,  H01L21/312 A
Fターム (22件)：
4J043PA02 ,  4J043PA14 ,  4J043QB15 ,  4J043QB21 ,  4J043QB31 ,  4J043RA34 ,  4J043RA42 ,  4J043RA52 ,  4J043SA05 ,  4J043SA06 ,  4J043TA11 ,  4J043TA70 ,  4J043UA432 ,  4J043UA451 ,  4J043UA561 ,  4J043XA03 ,  4J043ZB11 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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