半導体素子の保護膜用ポリイミド樹脂およびそれを用いた半導体装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：石戸久子 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-284894
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093958
出願日： 2000年09月20日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】メサ形半導体装置10は、半導体素子101、リード102、半導体素子101とリード102を接合するはんだ103、半導体素子101の保護膜としてのポリイミド膜104、エポキシ樹脂からなる封止樹脂105から主に構成されているが、このような従来のメサ形の半導体装置10、あるいはプレーナ形の半導体装置では漏れ電流が増加し易いという欠点があった。本発明は係る欠点を解決することを課題とする。【解決手段】半導体素子の保護膜としてポリイミド膜104を備えた半導体装置10において、ポリイミド膜104が、酸化合物に対してアミン化合物を過剰に反応させて得られたポリイミド樹脂からなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

テトラカルボン酸二無水物に対してジアミン化合物を反応させて得られたものであることを特徴とする半導体素子の保護膜用ポリイミド樹脂。

IPC (4件)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , C08G 73/10 , H01L 21/312

FI (3件)：

C08G 73/10 , H01L 21/312 B , H01L 23/30 D

Fターム (23件)：

4J043PA02 , 4J043PA08 , 4J043QB15 , 4J043QB26 , 4J043QB50 , 4J043SA06 , 4J043SA85 , 4J043TA21 , 4J043UA132 , 4J043UA141 , 4J043UB011 , 4J043VA012 , 4J043VA052 , 4J043XA03 , 4J043XA16 , 4J043ZB11 , 4M109AA02 , 4M109CA10 , 4M109ED03 , 5F058AA10 , 5F058AD04 , 5F058AF04 , 5F058AH03

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭61-084025
特開平2-222473
特開平3-243625

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