表示装置の作製方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-137576
公開番号（公開出願番号）：特開2005-352465
出願日： 2005年05月10日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】本発明は、発光取り出し面を見る角度に依存した発光スペクトルの変化が低減された表示装置の作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】基板上に下から第1の下地絶縁膜、第2の下地絶縁膜、半導体層及びゲート絶縁膜を形成する。そして、半導体層の少なくとも一部に重なるゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、画素部のゲート絶縁膜及び前記第2の下地絶縁膜に少なくとも一導電型の不純物を添加する。不純物を添加したゲート絶縁膜及び第2の下地絶縁膜を選択的にエッチングを行い、開口部を形成する。開口部の底面には第1の下地絶縁膜が露出する。続いて開口部、ゲート絶縁膜及びゲート電極を覆って絶縁膜を形成し、絶縁膜上に、発光素子を前記開口部の少なくとも一部に重なって形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に下から第1の下地絶縁膜、第2の下地絶縁膜、半導体層及びゲート絶縁膜を形成し、前記半導体層の少なくとも一部に重なる前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記ゲート絶縁膜及び前記第2の下地絶縁膜に少なくとも一導電型の不純物を添加し、前記不純物が添加された前記ゲート絶縁膜及び前記第2の下地絶縁膜を選択的にエッチングし、開口部を形成し、前記開口部の底面に前記第1の下地絶縁膜を露出させ、前記開口部、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極を覆って絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に、発光素子を前記開口部の少なくとも一部に重なって形成すること、を特徴とする表示装置の作製方法。

IPC (1件)：

G09F9/30

FI (1件)：

G09F9/30 338

Fターム (11件)：

3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 3K007FA02 , 5C094AA12 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094GB10

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-002863 出願人：富士電機株式会社

審査官引用 (5件)

パッシブマトリクス型表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-339310 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-052877 出願人：ソニー株式会社
特開昭63-004620

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