特許
J-GLOBAL ID：200903090572399693

半導体装置およびその作製方法

発明者：
石川 明

石川 明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-148441
公開番号（公開出願番号）：特開2003-084687
出願日： 2002年05月22日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：
【要約】【課題】開口率を下げることなく、十分な遮光性と十分な保持容量とを両立することが可能な構造を有する半導体装置を実現する方法を提供することを課題とする。【解決手段】 基板上に下部遮光膜を形成し、前記下部遮光膜上にTFTを形成し、前記TFT上に層間絶縁膜を介してTFTを被嵌するように上部遮光膜を形成する。これによりTFTを下部遮光膜および上部遮光膜によって完全に遮光でき、光リーク電流の発生を妨げることができる。
請求項（抜粋）：
基板上のTFTと、前記TFTと電気的に接続されている画素電極と、前記TFTと前記画素電極との間の上部遮光膜と、を有する半導体装置において、前記TFT上には少なくとも1層の層間絶縁膜が形成され、前記画素電極と前記基板との間には前記層間絶縁膜を除去して形成されたウィンドウを有し、前記上部遮光膜は前記ウィンドウの底面から前記TFTを被嵌するように前記層間絶縁膜上まで連続的に形成されており、前記ウィンドウ内部に、開口部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (12件)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349 ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/1335 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14
FI (16件)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349 C ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/1335 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 G ,  H01L 21/322 R ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 619 B ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 A ,  H01L 29/78 627 Z
Fターム (109件)：
2H088EA12 ,  2H088HA08 ,  2H088MA01 ,  2H088MA09 ,  2H088MA20 ,  2H091FA34Y ,  2H091FA37Y ,  2H091GA13 ,  2H091LA03 ,  2H091LA16 ,  2H091LA30 ,  2H091MA07 ,  2H092GA11 ,  2H092GA17 ,  2H092GA60 ,  2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092MA07 ,  2H092MA35 ,  2H092NA01 ,  2H092NA16 ,  2H092NA25 ,  2H092PA09 ,  2H092RA05 ,  3K007AB02 ,  3K007AB03 ,  3K007AB17 ,  3K007AB18 ,  3K007BB06 ,  3K007CA01 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5C094AA07 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052DA02 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F110AA21 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN48 ,  5F110NN54 ,  5F110NN55 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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