膜形成用組成物、シリカ系膜およびその形成方法、ならびに積層膜

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：大渕美千栄 , 布施行夫 , 井上一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-373611
公開番号（公開出願番号）：特開2005-133040
出願日： 2003年10月31日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】低い比誘電率を有し、密着性に優れた膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて形成されたシリカ系膜およびその製造方法、前記シリカ系膜を含む積層膜を提供する。【解決手段】本発明の膜形成用組成物は(A)下記一般式(1)で表される化合物(1)、下記一般式(2)で表される化合物(2)、および下記一般式(3)で表される化合物(3)より選ばれる少なくとも1種のシラン化合物、および(B)下記一般式(4)で表される化合物(4)および下記一般式(5)で表される化合物(5)の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を加水分解縮合して得られる加水分解縮合物を含む。RaSi(OR1)4-a・・・(1)Si(OR2)4・・・(2)R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c・・・(3)【化1】・・・(4)【化2】・・・(5)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される化合物(1)、下記一般式(2)で表される化合物(2)、および下記一般式(3)で表される化合物(3)より選ばれる少なくとも1種のシラン化合物、および RaSi(OR1)4-a ・・・・・(1) 〔式中、Rは水素原子、フッ素原子、または1価の有機基を示し、R1は1価の有機基を示し、aは1〜2の整数を表す。〕 Si(OR2)4 ・・・・・(2) 〔式中、R2は1価の有機基を示す。〕 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(3) 〔式中、R3,R4,R5およびR6は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を表し、R7は酸素原子、フェニレン基、または-(CH2)m-で表される基を示し、mは1〜6の整数を表し、dは0または1を表す。〕 (B)下記一般式(4)で表される化合物(4)および下記一般式(5)で表される化合物(5)の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物

IPC (7件)：

C09D183/14 , B32B27/00 , C08G61/02 , C08G65/48 , C08G77/20 , C09D5/25 , C09D183/07

FI (7件)：

C09D183/14 , B32B27/00 101 , C08G61/02 , C08G65/48 , C08G77/20 , C09D5/25 , C09D183/07

Fターム (97件)：

4F100AH06A , 4F100AH06B , 4F100AK01C , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10C , 4F100EH46 , 4F100GB41 , 4F100JB12A , 4F100JB12B , 4F100JG05 , 4F100JL11 , 4F100JM03A , 4F100JM03B , 4F100YY00B , 4F100YY00C , 4J005AA21 , 4J005AA23 , 4J005BA00 , 4J005BB04 , 4J032CA01 , 4J032CA03 , 4J032CA04 , 4J032CA12 , 4J032CA14 , 4J032CB01 , 4J032CB03 , 4J032CC01 , 4J032CD02 , 4J032CE03 , 4J032CG06 , 4J038DL031 , 4J038DL061 , 4J038DL101 , 4J038KA03 , 4J038KA09 , 4J038NA21 , 4J246AA11 , 4J246AA18 , 4J246AA19 , 4J246AB11 , 4J246AB14 , 4J246AB15 , 4J246BA16X , 4J246BA160 , 4J246BA26X , 4J246BA260 , 4J246BA310 , 4J246BA360 , 4J246BB02X , 4J246BB020 , 4J246BB022 , 4J246BB04X , 4J246BB040 , 4J246BB041 , 4J246CA010 , 4J246CA040 , 4J246CA14X , 4J246CA140 , 4J246CA148 , 4J246CA149 , 4J246CA24X , 4J246CA240 , 4J246CA248 , 4J246CA249 , 4J246CA33X , 4J246CA330 , 4J246CA338 , 4J246CA339 , 4J246CA34X , 4J246CA340 , 4J246CA348 , 4J246CA36X , 4J246CA360 , 4J246CA368 , 4J246CA369 , 4J246FA011 , 4J246FA071 , 4J246FA081 , 4J246FA131 , 4J246FA421 , 4J246FA472 , 4J246FA551 , 4J246FA572 , 4J246FC111 , 4J246FC131 , 4J246FC141 , 4J246FC181 , 4J246GB06 , 4J246GB07 , 4J246GC52 , 4J246GC53 , 4J246GD08 , 4J246GD09 , 4J246HA62 , 4J246HA63

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置の絶縁膜およびその絶縁膜形成用塗布液
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-331689 出願人：川崎製鉄株式会社
膜形成用組成物、その製造方法および層間絶縁膜用材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-158673 出願人：ジェイエスアール株式会社
膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-086895 出願人：ジェイエスアール株式会社

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