特許
J-GLOBAL ID：200903090731093568

膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

発明者：
林 英治

林 英治 について

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西川 通則

西川 通則 について

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塩田 淳

塩田 淳 について

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山田 欣司

山田 欣司 について


出願人/特許権者：
ジェイエスアール株式会社

ジェイエスアール株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-086895
公開番号（公開出願番号）：特開2002-285086
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体素子の層間絶縁膜として、塗膜の吸水率が小さく、比誘電率2.1以下のシリカ系膜が形成可能な組成物を提供する。【解決手段】 A)一般式1〜3の1種以上のシラン化合物を加水分解した縮合物、Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(RはH、F又は1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(R2 は1価の有機基) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・(3)〔R3 〜R6 は1価の有機基、b、cは0〜2の整数、R7 はO、フェニレン基又は-(CH2 )n -(nは1〜6の整数)、dは0〜1〕B)Aに相溶又は分散し、沸点又は分解温度が250〜450°Cである化合物およびC)有機溶剤を含有する膜形成用組成物。またBの使用割合がA100重量部(完全加水分解縮合物換算)に対し50〜250重量部である膜形成用組成物。
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を塩基性触媒と水の存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物、Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕(B)前記(A)成分に相溶または分散し、沸点または分解温度が250〜450°Cである化合物および(C)有機溶剤を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (8件)：
C09D183/02 ,  C09D 1/00 ,  C09D133/00 ,  C09D171/00 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (8件)：
C09D183/02 ,  C09D 1/00 ,  C09D133/00 ,  C09D171/00 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G
Fターム (32件)：
4J038AA011 ,  4J038CG142 ,  4J038CH032 ,  4J038CH042 ,  4J038CH132 ,  4J038CJ182 ,  4J038DF012 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038HA176 ,  4J038HA306 ,  4J038HA441 ,  4J038JB01 ,  4J038KA04 ,  4J038MA09 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  4J038PC01 ,  4J038PC02 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA07 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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