特許

J-GLOBAL ID：200903055444375374

酸化チタン薄膜の製造方法

発明者： 鯉沼 秀臣
出願人/特許権者： 新技術事業団
代理人 (1件)： 小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-079894
公開番号（公開出願番号）：特開平8-253322
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】 低温プラズマを使用して酸化チタン薄膜を高速合成する。【構成】 不活性ガスをメインガスとして発生させた大気圧グロー放電ビームプラズマに一般式Ti(OR)4 (Rは低級アルキル基を示す)で示されるチタン化合物をガス状で供給して、基体上に酸化チタン薄膜を堆積する。チタン化合物と共に水素ガスを同時に供給しても良い。【効果】 低温で合成ができるため、基板に悪影響を与えることなく、高品質の酸化チタン薄膜が合成される。

請求項（抜粋）：

不活性ガスをメインガスとして発生させた大気圧グロー放電ビームプラズマに下記一般式(1)Ti(OR)4 ・・・・(1)(Rは低級アルキル基を示す)で示されるチタン化合物をガス状で供給して、基体上に酸化チタン薄膜を堆積することを特徴とする酸化チタン薄膜の製造方法。

IPC (7件)：

C01G 23/07 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  C07F 7/28

FI (7件)：

C01G 23/07 ,  B01J 19/08 G ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X ,  C07F 7/28 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜エレクトロルミネセンス素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-046575   出願人：株式会社ブリヂストン, 鯉沼秀臣
• シリカ薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-339522   出願人：信越化学工業株式会社
• チタン酸化物薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-262519   出願人：石原産業株式会社