位相シフトマスクの設計方法および設計装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志村浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-359331
公開番号（公開出願番号）：特開2004-191621
出願日： 2002年12月11日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】基板掘込み型のレベンソン型位相シフトマスクの設計に費やす作業負担を軽減し、作業時間を短縮する。【解決手段】二次元レイアウト決定装置10により、同一サイズ(Wx×Wy)の複数の開口窓を有するパターン11を決定し、三次元構造決定装置20により、偶数番目の開口窓について、透過光の位相を180°シフトするため、深さd、アンダーカット量Ucをもった三次元溝構造を決定する。三次元シミュレータ30により、パターン11および三次元溝構造21を有する構造体についての透過光シミュレーションを実行し、溝のない奇数番目の開口窓と溝のある偶数番目の開口窓とについて、透過光の強度偏差Dを求める。二次元シミュレータ40では、この偏差Dに基づいて作成した二次元モデルを用いたシミュレーションにより、偏差Dを0にするための補正量δを決定し、パターン12を得る。【選択図】図16

請求項（抜粋）：

透光性をもった基板と、この基板上に形成された遮光性をもった遮光層と、を有し、前記遮光層には複数の矩形状の開口窓が形成されており、前記遮光層が形成されている領域からなる遮光部と前記開口窓が形成されている領域からなる透光部とによって二次元レイアウトパターンが形成されており、かつ、隣接配置された一対の開口窓について、一方の開口窓を透過した光の位相が他方の開口窓を透過した光の位相に対して180°シフトするように、一方の開口窓が形成された基板部分に開口窓の輪郭より大きな輪郭をもった所定の深さの溝が形成されている位相シフトマスクを設計する方法であって、前記基板の表面上にXY平面を定義し、各開口窓のX軸方向の幅WxおよびY軸方向の幅Wyならびに遮光部の幅Wsを決定し、複数の同一サイズの開口窓を少なくともX軸に沿って配置することにより前記XY平面上に二次元レイアウトを設計する二次元レイアウト設計段階と、前記複数の開口窓のそれぞれについて位相シフトを行うか否かを定め、位相シフトを行う開口窓については、溝の深さdと、溝の輪郭位置と開口窓の輪郭位置との距離を示すアンダーカット量Ucと、を決定することにより三次元構造を決定する三次元構造決定段階と、前記二次元レイアウトおよび前記三次元構造によって画定される三次元構造体を用いて、位相が互いに180°シフトするように設計された一対の隣接開口窓に同一条件で光を透過させた場合に、それぞれの開口窓を透過する光の強度の偏差を示す光強度偏差Dを求める三次元解析段階と、前記二次元レイアウトによって画定される二次元構造体を用いて、前記一対の隣接開口窓について、一方の光の透過率を100%、他方の光の透過率をT%に設定した場合に、これら一対の隣接開口窓をそれぞれ透過する光の強度の偏差が前記光強度偏差Dに等しくなるような透過率Tを求める二次元解析段階と、前記透過率Tに基づいて、前記二次元レイアウトを補正するレイアウト補正段階と、を有することを特徴とする位相シフトマスクの設計方法。

IPC (2件)：

G03F1/08 , H01L21/027

FI (2件)：

G03F1/08 A , H01L21/30 502P

Fターム (3件)：

2H095BA01 , 2H095BB03 , 2H095BB36

引用特許：

審査官引用 (4件)

位相シフトマスク及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-139652 出願人：株式会社日立製作所
マスクのデバイスパターンの補正方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-350317 出願人：日本電気株式会社
特許第4043774号

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