特許
J-GLOBAL ID:200903055481754334
液晶装置、液晶装置の製造方法および電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
上柳 雅誉
, 須澤 修
, 宮坂 一彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-205035
公開番号(公開出願番号):特開2008-268841
出願日: 2007年08月07日
公開日(公表日): 2008年11月06日
要約:
【課題】電極層の電気的抵抗を増大させることなく、ラビング不良の発生を抑制することのできるFFSモードの液晶装置を提供すること。【解決手段】液晶装置100の素子基板10上には、薄膜トランジスタ30の上層側が有機平坦化膜からなる層間絶縁膜6で覆われ、層間絶縁膜6の上層には、共通電極9aがベタの電極層として形成されている。共通電極9aの上層には電極間絶縁膜8が形成され、その上には、スリット状の間隙部7bを有する画素電極7aが形成されている。ベタに形成された共通電極9aと比較して、スリット状の間隙部7bが形成されている画素電極7aは膜厚が薄いので、ラビング処理を好適に行うことができる。【選択図】図3
請求項(抜粋):
複数の画素を備えてなり、各前記画素に対応してスイッチング素子が設けられてなる液晶装置において、
前記スイッチング素子が形成されてなる素子基板と、
前記スイッチング素子を上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成される第1の電極層と、
前記素子基板に形成されており、電極間絶縁膜を介して前記第1電極と平面的に重なる第2の電極層と、を具備し、
各前記画素は、前記第1電極と前記第2の電極層とが平面的に重なる第1領域と、前記第1電極および前記第2の電極層のうち前記第1の電極層のみが形成されてなる第2領域と、を含んでなり、
前記第2の電極層の膜厚が前記第1の電極層の膜厚より薄いことを特徴とする液晶装置。
IPC (3件):
G02F 1/134
, G02F 1/136
, G02F 1/133
FI (3件):
G02F1/1343
, G02F1/1368
, G02F1/1337 500
Fターム (15件):
2H090HA03
, 2H090HA04
, 2H090HD03
, 2H090LA01
, 2H090LA04
, 2H090MB01
, 2H092GA14
, 2H092GA16
, 2H092GA17
, 2H092JA25
, 2H092JB05
, 2H092JB16
, 2H092JB58
, 2H092NA04
, 2H092PA02
引用特許: