特許
J-GLOBAL ID：200903055531221480

電力用半導体モジュールの駆動回路

発明者：
滝沢 聡毅

滝沢 聡毅 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (3件)： 山口 巖 ,  駒田 喜英 ,  松崎 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-287334
公開番号（公開出願番号）：特開2007-104739
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】低損失で高効率のゲート駆動回路を提供する。【解決手段】昇圧を目的とする第1の半導体スイッチ5を駆動するゲート駆動回路11の内部回路定数を、前記第1の半導体スイッチに対して直列に接続され電源回生を目的とする第2の半導体スイッチ4を駆動するゲート駆動回路10の内部回路定数に比べて、スイッチング時間が短くなるように設定(選択)することにより、サージ電圧は高くなるが、その代わりにスイッチング損失を低減できるようにし、高効率,低コスト化を実現する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
直流電源から高電圧に変換して負荷に電力を供給し、負荷の電圧が或る値以上になったときは直流電源側に電源回生が可能なDC/DC変換回路に用いられ、直列接続された第1,第2の半導体スイッチからなる電力用半導体モジュールの駆動回路において、 前記直流電源と並列に接続され昇圧を目的とする前記第1の半導体スイッチを駆動するゲート駆動回路の内部回路定数に対して、前記第1の半導体スイッチと直列に接続され電源回生を目的とする第2の半導体スイッチを駆動するゲート駆動回路の内部回路定数を、互いに異なる値に設定することを特徴とする電力用半導体モジュールの駆動回路。
IPC (2件)：
H02M 1/08 ,  H02M 3/155
FI (2件)：
H02M1/08 A ,  H02M3/155 F
Fターム (21件)：
5H730AA10 ,  5H730AA14 ,  5H730AS01 ,  5H730AS04 ,  5H730BB14 ,  5H730BB57 ,  5H730DD04 ,  5H730EE13 ,  5H730EE19 ,  5H730FD01 ,  5H730FF01 ,  5H730FG01 ,  5H730XX12 ,  5H740AA05 ,  5H740BA12 ,  5H740BB01 ,  5H740BB07 ,  5H740HH05 ,  5H740KK01 ,  5H740LL02 ,  5H740MM05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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