窒化物半導体発光素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：豊栖康司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-375085
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237646
出願日： 1996年10月02日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】チップの接着性が大きく、かつ放熱性の高い発光素子を提供する。【解決手段】第1の主面と第2の主面とを有する酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長され、第2の主面側にAl、Ti、Zr、Cr、Ni、Mo、W、Ge、Si、Sn、Zn、Cu、Mn、V、Nbよりなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む第1の放熱薄膜が形成された発光チップが、第1の放熱薄膜と支持体表面とが対向した状態で、熱伝導性および導電性を有する接着剤を介して、支持体にダイボンディングされていることにより、発光チップが強固に接着されている。接着剤と第1の放熱薄膜との間には、Pt、Ti、Niよりなる群から選択された少なくとも一種の金属を含み、第1の放熱薄膜の膜厚とほぼ同じか厚い膜厚の第2の放熱薄膜が形成されている。

請求項（抜粋）：

第1の主面と第2の主面とを有する酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長され、第2の主面側にAl、Ti、Zr、Cr、Ni、Mo、W、Ge、Si、Sn、Zn、Cu、Mn、V、Nbよりなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む第1の放熱薄膜が形成された発光チップが、第1の放熱薄膜と支持体表面とが対向した状態で、熱伝導性および導電性を有する接着剤を介して、支持体にダイボンディングされてなる窒化物半導体発光素子であって、前記熱伝導性および導電性を有する接着剤と、前記第1の放熱薄膜との間にPt、Ti、Niよりなる群から選択された少なくとも一種の金属を含み、前記第1の放熱薄膜の膜厚とほぼ同じか、もしくはそれよりも厚い膜厚である第2の放熱薄膜が形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/022 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/022 , H01L 33/00 N

Fターム (18件)：

5F041AA33 , 5F041AA37 , 5F041AA41 , 5F041AA44 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041DA02 , 5F041DA07 , 5F041DA12 , 5F073AA11 , 5F073AA83 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA25 , 5F073DA32 , 5F073DA33 , 5F073FA22

引用特許：

審査官引用 (7件)

発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-222627 出願人：旭化成工業株式会社
特開昭63-263733
特開昭59-107527

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