半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-125049
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306889
出願日： 1996年05月20日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】ウエットエッチングにおいてマスクに対する横方向のエッチングいわゆるサイドエッチを抑制する。【解決手段】 15°C以下の温度で少なくともクエン酸水溶液(citricacid)と過酸化水素水(H2O2)を含む混合液を用いて化合物半導体をエッチングする。また、そのエッチングの前後に同温以下の温度の水に浸漬させる。

請求項（抜粋）：