特許
J-GLOBAL ID：200903055584310221

半導体記憶装置

発明者：
吉原 正浩

吉原 正浩 について

, 
細野 浩司

細野 浩司 について

, 
枝広 俊昭

枝広 俊昭 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-077102
公開番号（公開出願番号）：特開2009-230827
出願日： 2008年03月25日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：
【課題】センスマージンの低下を防止して、高精度のセンス動作が可能なセンスアンプを備えた半導体記憶装置を提供する。【解決手段】ビット線につながる複数のメモリセルと、ビット線に接続されて選択されたメモリセルにビット線を介して流れるセル電流の大小を検知することによりメモリセルに記憶されたデータの値を判定するセンスアンプとを有する。センスアンプは、第1及び第2センスノードを介してビット線に電流を供給するプリチャージ用の第1のトランジスタと、第1及び第2のセンスノードの間に介挿された電荷転送用の第2のトランジスタと、第1及び第2のセンスノードを介さずにビット線に電流を供給する電流継続供給用の第3のトランジスタとを有する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
ビット線につながる複数のメモリセルと、 前記ビット線に接続されて選択されたメモリセルに前記ビット線を介して流れるセル電流の大小を検知することにより前記メモリセルに記憶されたデータの値を判定するセンスアンプと を有し、 前記センスアンプは、 第1及び第2センスノードを介して前記ビット線に電流を供給するプリチャージ用の第1のトランジスタと、 前記第1及び第2のセンスノードの間に介挿された電荷転送用の第2のトランジスタと、 前記第1及び第2のセンスノードを介さずに前記ビット線に電流を供給する電流継続供給用の第3のトランジスタと、 を有する ことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (1件)：
G11C 16/06
FI (1件)：
G11C17/00 634C
Fターム (11件)：
5B125BA02 ,  5B125CA21 ,  5B125EA01 ,  5B125EA02 ,  5B125EA03 ,  5B125EA05 ,  5B125EE02 ,  5B125EE07 ,  5B125EE13 ,  5B125EE19 ,  5B125FA02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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