特許
J-GLOBAL ID：200903055602072783
レジストパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-104150
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306605
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 基板上に堆積させた窒化金属膜または窒化半金属膜の表面を有機酸化合物または有機酸ハロゲン化物を用いて表面改質する。【構成】 窒化金属膜または窒化半金属膜2の表面を有機酸化合物または有機酸ハロゲン化物を用いて表面処理することにより、膜表面付近に存在する塩基性物質の塩基性を低下させる表面改質を行う。この表面処理により、化学増幅型レジストを用いても裾引き又はくびれ形状がない良好なレジストパターンを得ることができる。
請求項（抜粋）：
表面処理工程を有し、感光性酸発生剤より生成した触媒反応を利用してレジストパターンを形成する化学増幅型レジストを用いたレジストパターンの形成方法であって、表面処理工程は、基板上に堆積された窒化金属膜または窒化半金属膜の表面付近に存在する塩基性物質の塩基性を低下させて表面を改質する処理であることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/11 503
H01L 21/30 563
, G03F 7/11 503
, H01L 21/30 502 R
