特許

J-GLOBAL ID：200903055618013396

半導体プロセス残留物除去組成物および方法

発明者： リー,ワイ ムン ,  アイピー、ケイティ ,  ディン,シュァン-ドゥン ,  マロニー,デイビッド,ジェイ.
出願人/特許権者： イーケーシー テクノロジー,インコーポレイティド
代理人 (5件)： 小林 浩 ,  片山 英二 ,  小林 純子 ,  大森 規雄 ,  田村 恭子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-511255
公開番号（公開出願番号）：特表2005-528660
出願日： 2002年07月01日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

高分子材料およびエッチ残留物を除去するための残留物リムーバーは、2-(2-アミノエチルアミノ)-エタノールおよび場合により他の二炭素原子結合アルカノールアミン化合物、没食子酸またはカテコール、水、極性有機溶媒、ならびにヒドロキシルアミンを含む。チタン冶金物を含む集積回路半導体ウェーハのような基板からフォトレジストまたは他の残留物を除去する方法は、基板からフォトレジストまたは他の残留物を除去するのに十分な時間および温度で基板を上記の組成物に接触させるステップを含む。組成物および方法で2-(2-アミノエチルアミノ)-エタノールを使用することにより、基板上のチタンまたは他の冶金物を攻撃することなく、優れた残留物除去が提供される。組成物は、好ましくは、約130°C超の引火点を有する。

請求項（抜粋）：

2-(2-アミノエチルアミノ)-エタノールと水とを含み、かつ極性有機溶媒を実質的に含まない組成物であって、金属および/または金属合金の部分および/または層を含む基板から、有機、有機金属、および金属酸化物の残留物を除去することができる組成物。

IPC (4件)：

G03F7/42 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50 ,  H01L21/304

FI (4件)：

G03F7/42 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50 ,  H01L21/304 647A

Fターム (11件)：

2H096AA25 ,  2H096LA03 ,  4H003DA09 ,  4H003DA15 ,  4H003EB12 ,  4H003EB14 ,  4H003ED02 ,  4H003ED28 ,  4H003ED31 ,  4H003FA07 ,  4H003FA15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• シリコンウェーハの研磨液及びこれを用いた研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-252548   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
• レジスト剥離および洗浄用の非腐食性組成物
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-548203   出願人：アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インク
• ウエハーの滑らかさを維持しながらウエハー基板の金属汚染物を洗浄する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-181074   出願人：ジェイティ-ベ-カ-インコ-ポレイテッド