特許
J-GLOBAL ID：200903055650188823
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-052085
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256537
出願日： 1997年03月06日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 しきい値特性に影響を与えることなくゲート絶縁膜中にNを導入し、ゲート絶縁膜中におけるホットキャリアのトラップを抑止した半導体装置を提供する。【解決手段】 ゲート絶縁膜上にゲート電極パターンを生成した後、前記ゲート電極パターンをマスクとして使いながら、前記ゲート絶縁膜中の、前記ゲート電極パターンで保護されていない部分にNを導入する。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成されたゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極と、前記基板中、前記ゲート電極の両側に形成された第1および第2の拡散領域とよりなる半導体装置において、前記ゲート酸化膜は、前記ゲート電極直下の第1の領域と、前記第1の領域に隣接する第2の領域とにおいて、N(窒素)を、前記第2の領域におけるNの濃度の方か、前記第1の領域におけるNの濃度よりも実質的に大きくなるように含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/318 C
