特許
J-GLOBAL ID：200903068813742321
半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-284988
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129872
出願日： 1995年11月01日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 LDD構造を有するMOS型半導体素子の製造工程において、サイドウォール7の形成時に、シリコン基板1にまでエッチングが進行してデバイス特性の劣化を招来することを防止する。【解決手段】 シリコン基板1の界面に窒素含有率の高い窒酸化膜5を形成し、さらに、サイドウォール7のエッチング時に、サイドウォール7/窒酸化膜5の選択比を向上し得るエッチングガスを用いる。
請求項（抜粋）：
MOS型半導体素子の製造方法において、ゲート酸化膜およびゲート電極をシリコン基板上に形成する第1工程と、100%の N2Oガス雰囲気またはN2O とN2との混合ガス雰囲気にて上記シリコン基板を窒酸化する第2工程とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/318
H01L 29/78 301 L
, H01L 21/318 A
, H01L 29/78 301 P
