特許

J-GLOBAL ID：200903055659890504

酸化金属セラミックからの可動化学種の拡散のための酸化金属セラミックの分解低減

発明者： フランク エス ヒンターマイアー ,  ジェフリー エフ レーダー ,  ブライアン シー ヘンドリックス ,  デブラ エイ デスロシャーズ ,  トーマス エイチ バウム
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト ,  アドヴァンスト テクノロジー マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-590205
公開番号（公開出願番号）：特表2002-533923
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2002年10月08日
要約：

【要約】酸化金属セラミックからの過剰な可動化学種の低減された拡散を、組成及び/又は析出パラメータを調節することによって達成する。過剰な可動化学種と反応するバリア層は、底部電極を通り基板の中への過剰な可動化学種の拡散を防止または低減させるために、酸化金属セラミックの下に提供される。

請求項（抜粋）：

部分的に形成された半導体デバイスを含む基板の準備;酸化金属セラミックが、過剰な可動化学種の拡散を低減するように製造された組成物を含む酸化金属セラミックの、底部電極上への析出;良好な電気的性質を有する酸化金属セラミックを製造するための基板のアニーリングを含む、半導体デバイスを製造するための方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/105

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 444 B

Fターム (23件)：

5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BC20 ,  5F058BF04 ,  5F058BF22 ,  5F058BF27 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F083FR02 ,  5F083GA25 ,  5F083HA06 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA08 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 強誘電体薄膜被覆基板及びその製造方法及び強誘電体薄膜被覆基板によって構成された不揮発性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-017909   出願人：シャープ株式会社
• 強誘電体薄膜被覆基板、その製造方法、及びキャパシタ構造素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-168118   出願人：シャープ株式会社
• 強誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-051618   出願人：シャープ株式会社