特許

J-GLOBAL ID：200903055690061621

半導体モジュール

発明者： 古川 裕一 ,  山内 忍 ,  若林 信弘 ,  中川 信太郎 ,  藤 敬司 ,  河野 栄次 ,  大年 浩太 ,  田中 勝章
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社 ,  株式会社豊田自動織機
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-366975
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173405
出願日： 2005年12月20日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：

【課題】熱応力による反りやクラックの発生を防止しつつ、優れた放熱性能を得る。【解決手段】セラミックス基板の表裏両面に表金属板と裏金属板16とを接合し、裏金属板16にヒートシンクを接合して半導体モジュールを構成する。裏金属板16には、当該裏金属板16の厚み方向に凹ませた凹部18からなる非接合領域を設け、熱膨張及び熱収縮による熱応力を緩和させる。そして、凹部18(非接合領域)は、裏金属板16の接合領域の面積が裏金属板16の接合面16bにおける全体の面積に対して65%〜85%の範囲となるように形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

セラミックス基板の半導体素子搭載面となる表面側に表金属板を接合するとともに裏面側に裏金属板を接合し、当該裏金属板に放熱装置を接合した半導体モジュールであって、 前記セラミックス基板は窒化アルミニウムからなる一方で、前記表金属板及び前記裏金属板はアルミニウムからなり、 前記裏金属板には、前記放熱装置との接合面に接合領域と非接合領域を形成し、前記接合領域の面積を前記接合面の全体の面積に対して65%〜85%の範囲としたことを特徴とする半導体モジュール。

IPC (2件)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/13

FI (2件)：

H01L23/36 C ,  H01L23/12 C

Fターム (2件)：

5F136BB04 ,  5F136EA13

引用特許：

出願人引用 (1件)

• セラミックス回路基板およびそれを用いた半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-197165   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• セラミックス回路基板およびそれを用いた半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-197165   出願人：株式会社東芝
• セラミックス回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-072952   出願人：株式会社東芝
• 金属-セラミックス接合基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-376523   出願人：同和鉱業株式会社
• セラミックス回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-226111   出願人：株式会社東芝