セラミックス回路基板およびそれを用いた半導体モジュール

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：波多野久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197165
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017627
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】金属回路板等の接合部の半田層やセラミックス基板に熱応力や反りによるクラックが発生することを効果的に防止でき、長期間に亘って優れた耐久性と高い信頼性が得られるセラミックス回路基板およびそれを用いた半導体モジュールを提供する。【解決手段】セラミックス基板2の表面側に金属回路板4を接合する一方、裏面側に裏金属板5aを接合したセラミックス回路基板1aにおいて、裏金属板5aに、上記金属回路板4の厚さの10〜90%の深さを有する熱応力緩和部3を設けるとともに、上記金属回路板4の体積に対する裏金属板5aの体積の比が0.6以下であることを特徴とするセラミックス回路基板1aである。

請求項（抜粋）：

セラミックス基板の表面側に金属回路板を接合する一方、裏面側に裏金属板を接合したセラミックス回路基板において、裏金属板に、上記金属回路板の厚さの10〜90%の深さを有する熱応力緩和部を設けるとともに、上記金属回路板の体積に対する裏金属板の体積の比が0.6以下であることを特徴とするセラミックス回路基板。

IPC (5件)：

H01L 23/13 , C04B 37/02 , H01L 23/12 , H01L 23/36 , H05K 1/02

FI (5件)：

C04B 37/02 C , H05K 1/02 F , H01L 23/12 C , H01L 23/12 J , H01L 23/36 C

Fターム (26件)：

4G026BA03 , 4G026BA05 , 4G026BA16 , 4G026BA17 , 4G026BB22 , 4G026BB27 , 4G026BC02 , 4G026BF16 , 4G026BG02 , 4G026BG03 , 4G026BG27 , 4G026BH07 , 5E338AA01 , 5E338AA18 , 5E338BB71 , 5E338BB75 , 5E338CC01 , 5E338CD11 , 5E338EE01 , 5E338EE02 , 5E338EE28 , 5F036AA01 , 5F036BA23 , 5F036BB01 , 5F036BB21 , 5F036BC05

引用特許：

審査官引用 (5件)

セラミツクス回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-294568 出願人：株式会社東芝
電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-217762 出願人：株式会社明電舎
半導体モジュール基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-241798 出願人：三菱電機株式会社

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