特許

J-GLOBAL ID：200903055694574070

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者： 桐谷 範彦
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-193029
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016017
出願日： 2000年06月27日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 炭化珪素半導体装置に高温での加熱処理を行うことなく、SiC基板と金属電極との間でオーミックコンタクトを実現することで、所望の性能の能動素子の得られる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供すること【解決手段】 SiC基板1上にシリコン酸化膜2を熱酸化法またはCVD法によって形成し、その一部をフォトエッチングによって選択的に除去して開口部3を形成し、酸・アルカリ溶液による洗浄を行ってから開口部3を熱酸化法によって熱酸化膜を数10nm形成し、希HF溶液によってこの熱酸化膜をドライエッチングで除去する。次に、真空中でSiC基板1の開口部3を覆うようにTiC膜11を10nmの厚さでマグネトロンスパッタリング法によって形成し、同様にTi膜12,Al膜13を連続して蒸着し、最後にフォトエッチングによって電極層5をパターニングして最終保護膜を形成する。

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体基板と、この炭化珪素半導体基板上に形成される金属カーバイトからなる電極層と、を備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 21/28 301 F ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/80 M

Fターム (25件)：

4M104AA03 ,  4M104BB34 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD21 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15 ,  5F040DA19 ,  5F040DC02 ,  5F040EH01 ,  5F040EH02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102GT04 ,  5F102GV07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC16 ,  5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• SiCへの電極の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-295575   出願人：新日本無線株式会社
• MOSFETおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-076902   出願人：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-263506   出願人：株式会社東芝