プラズマ処理装置及び可変インピーダンス手段の校正方法

発明者： , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-060670
公開番号（公開出願番号）：特開2004-096066
出願日： 2003年03月06日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】簡単な構造でプラズマ処理の面内均一性を高く維持できるようにプラズマの状態を最適に調整することが可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】真空引き可能になされた処理容器4内に上部電極6と載置台を兼ねる下部電極18とを配置し、前記上部電極と前記下部電極の内の少なくともいずれか一方にマッチング回路12を介して接続された高周波電源14より高周波電圧を印加してプラズマを立て、前記下部電極上に載置した被処理体Wに対して所定のプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記電極のいずれか一方の高周波ラインに介在されて、該高周波ラインが接続された電極とは対向する電極側から見たインピーダンスを変化させることが可能な可変インピーダンス手段30と、前記可変インピーダンス手段のインピーダンスを制御するためのインピーダンス制御部32と、を備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

真空引き可能になされた処理容器内に上部電極と載置台を兼ねる下部電極とを配置し、前記上部電極と前記下部電極の内の少なくともいずれか一方にマッチング回路を介して接続された高周波電源より高周波電圧を印加してプラズマを立て、前記下部電極上に載置した被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記電極のいずれか一方の高周波ラインに介在されて、該高周波ラインが接続された電極とは対向する電極側から見たインピーダンスを変化させることが可能な可変インピーダンス手段と、前記可変インピーダンス手段のインピーダンスを制御するためのインピーダンス制御部と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L21/3065 , B01J3/00 , B01J19/08 , C23C16/505 , H01L21/205 , H05H1/46

FI (7件)：

H01L21/302 101B , B01J3/00 J , B01J19/08 E , C23C16/505 , H01L21/205 , H05H1/46 M , H05H1/46 R

Fターム (39件)：

4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075AA62 , 4G075BC01 , 4G075BC04 , 4G075BC06 , 4G075BD14 , 4G075CA25 , 4G075CA47 , 4G075EB42 , 4K030CA04 , 4K030FA01 , 4K030KA30 , 4K030LA15 , 5F004AA01 , 5F004BA04 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BD03 , 5F004BD04 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA04 , 5F004CA08 , 5F004CA09 , 5F004CB02 , 5F004DA00 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004EA22 , 5F045AA08 , 5F045BB01 , 5F045BB08 , 5F045EH12 , 5F045EH19

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-054825
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-049994 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-125578 出願人：九州日本電気株式会社

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