特許

J-GLOBAL ID：200903055726262467

磁気記憶素子及び磁気メモリ

発明者： 五十嵐 実 ,  別所 和宏 ,  遠藤 敬太郎 ,  肥後 豊 ,  細見 政功 ,  鹿野 博司 ,  窪 真也 ,  水口 徹也 ,  成沢 浩亮 ,  大場 和博 ,  大森 広之 ,  山田 直美 ,  山元 哲也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-380210
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142508
出願日： 2003年11月10日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：

【課題】 動作領域を広く確保して安定に動作させると共に、消費電力を低く抑えることができる磁気記憶素子及び磁気メモリを提供する。【解決手段】 記憶層3の複数層の磁性層16,18,20,22,24,26の間に90°反強磁性結合を誘導するように、記憶層3の磁性層16,18,20,22,24,26を隔てる各非磁性層17,19,21,23,25の膜厚か、或いは記憶層の各磁性層の膜厚か、いずれかの膜厚が変調されている磁気記憶素子1を構成する。また、この磁気記憶素子1と、それぞれ交差する第1の配線と第2の配線とを有し、第1の配線及び第2の配線とが交差する交点付近に、それぞれ磁気記憶素子1が配置されて成る磁気メモリを構成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

情報を磁性体の磁化状態によって保持する記憶層が、複数層の磁性層から成り、 前記記憶層の前記磁性層の間に90°反強磁性結合を誘導するように、前記記憶層の磁性層を隔てる各非磁性層の膜厚か、或いは前記記憶層の各磁性層の膜厚か、いずれかの膜厚が変調されている ことを特徴とする磁気記憶素子。

IPC (3件)：

H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08

FI (3件)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  H01L43/08 Z

Fターム (3件)：

5F083FZ10 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 積層メモリ・セルを有する磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-231784   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 米国特許出願公開第2003/0072174号明細書
  
• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気再生装置、及び磁性積層体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-286561   出願人：株式会社東芝
• スケーラブルな磁気抵抗ランダム・アクセス記憶素子に書き込むための方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-537077   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気再生装置、及び磁性積層体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-286561   出願人：株式会社東芝
• スケーラブルな磁気抵抗ランダム・アクセス記憶素子に書き込むための方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-537077   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

引用文献：

出願人引用 (1件)

• "Specular spin-valve films with an FeCo nano-oxide layer by ion-assisted oxidation"

審査官引用 (1件)

• "Specular spin-valve films with an FeCo nano-oxide layer by ion-assisted oxidation"