特許
J-GLOBAL ID：200903055738460221
高周波半導体素子搭載用配線基板およびこれを用いた高周波用半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-217040
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044328
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 線路導体と高周波半導体素子との間で、接地導体層と貫通導体とで安定したグランドネットワークを形成することが困難である。【解決手段】 接地導体層14a・14b間を電気的に接続する貫通導体15を高周波半導体素子16搭載部側の端部に位置する線路導体13を中心とした高周波信号の波長の4分の1以下の範囲内から高周波半導体素子16の下部にかけて高周波信号の波長の2分の1以下の繰り返し間隔で配設したことにより、高周波半導体素子16の下部および周囲の接地導体層14a・14b間の接地経路を短くしてそのインダクタンス成分を減少させることができ、高速の信号を効率よく正確に伝播させることができる。また同時に、安定したグランドネットワークを形成することができる。
請求項（抜粋）：
上面に高周波半導体素子の搭載部を有する第1誘電体層と、該第1誘電体層の上面の前記搭載部近傍に取着された第2誘電体層と、該第2誘電体層の上面に前記搭載部側の端部から被着形成され、前記高周波半導体素子の電極と電気的に接続されて高周波信号を伝送する線路導体と、前記第1誘電体層の上下面に前記搭載部から前記線路導体の下部にかけて被着形成された接地導体層とを具備するとともに、前記上下面の接地導体層間に、前記第2誘電体層の前記搭載部側の端部に位置する前記線路導体を中心とした前記高周波信号の波長の4分の1以下の範囲内から前記搭載部に搭載される前記高周波半導体素子の下部にかけて、前記高周波信号の波長の2分の1以下の繰り返し間隔で前記接地導体層間を電気的に接続する貫通導体を配設したことを特徴とする高周波半導体素子搭載用配線基板。
IPC (2件)：
H01L 23/12
, H01L 23/12 301
H01L 23/12 E
, H01L 23/12 301 Z
