薄膜処理方法及び薄膜処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：後藤洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-136646
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319891
出願日： 2000年05月10日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】トラップ準位密度の小さいシリコン薄膜を光照射によって形成する。【解決手段】薄膜に光ビームを照射することにより薄膜を処理する薄膜処理方法において、光ビームの一照射単位が、第1及び第2の光パルスの薄膜への照射から構成され、一照射単位の照射を繰り返し行うことにより薄膜を処理するものであり、第1及び第2の光パルスは互いに異なるパルス波形を有する。好ましくは、光ビームの一照射単位が、第1の光パルスの薄膜への照射と、第1の光パルスの薄膜への照射の開始と実質的に同時に開始される、第2の光パルスの薄膜への照射とから構成される。この場合、第1及び第2の光パルスは、(前記第1の光パルスのパルス幅)<(前記第2の光パルスのパルス幅)及び(前記第1の光パルスの照射強度)≧(前記第2の光パルスの照射強度)を満たす。

請求項（抜粋）：

薄膜に光ビームを照射することにより前記薄膜を処理する薄膜処理方法において、前記光ビームの一照射単位が、第1及び第2の光パルスの前記薄膜への照射から構成され、上記一照射単位の照射を繰り返し行うことにより前記薄膜を処理するものであり、前記第1及び前記第2の光パルスは互いに異なるパルス波形を有することを特徴とする薄膜処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/268 , H01L 21/20 , H01L 21/208 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/268 J , H01L 21/268 G , H01L 21/20 , H01L 21/208 Z , H01L 29/78 627 G

Fターム (60件)：

5F052AA02 , 5F052BA11 , 5F052BA12 , 5F052BA15 , 5F052BB02 , 5F052BB06 , 5F052BB07 , 5F052DA01 , 5F052DB02 , 5F052JA01 , 5F053AA16 , 5F053AA50 , 5F053BB58 , 5F053BB60 , 5F053DD01 , 5F053FF01 , 5F053GG02 , 5F053HH05 , 5F053JJ01 , 5F053LL10 , 5F053RR03 , 5F053RR20 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ18 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP07 , 5F110PP13 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜の改質方法及びその実施に使用する装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-108239 出願人：日本電気株式会社
半導体薄膜の形成方法、パルスレーザ照射装置、および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-199482 出願人：日本電気株式会社
レーザアニーリング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-285471 出願人：三菱電機株式会社

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