特許
J-GLOBAL ID：200903055794776746

配線基板及びその製造方法

発明者：
仲川 彰一

仲川 彰一 について

, 
山口 浩一

山口 浩一 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-320493
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154767
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：
【要約】【課題】絶縁基体と熱伝達層又は配線導体層の剥離、剥離に伴うクラック及び該クラック進展による内部配線の断線等を有効に防止し、熱を効果的に放散する、又は低抵抗導体を有する高信頼性の配線基板を得る。【解決手段】配線基板の絶縁基体が40〜400°Cで8〜18ppm/°Cの線膨張率を、熱伝達層又は配線導体層が同じく10〜20ppm/°Cを示し、その製造方法として線膨張率が6〜18ppm/°Cで、屈伏点が400〜800°Cの結晶性ガラスを20〜80体積%、残部が6ppm/°C以上の線膨張率のフィラーとの混合物から成る成形体に、低融点金属と非金属無機物との混合物で熱伝達層又は配線導体層を形成後、非酸化性雰囲気中、850°Cを越え1300°C未満の温度で絶縁基体と焼成一体化する。
請求項（抜粋）：
40〜400°Cにおける線膨張率が8〜18ppm/°Cである絶縁基体のパワー素子が搭載される領域に、低融点金属を主成分とし、40〜400°Cにおける線膨張率が10〜20ppm/°Cである熱伝達層を一体化したことを特徴とする配線基板。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ,  H05K 3/46
FI (3件)：
H01L 23/12 J ,  H05K 3/46 Q ,  H01L 23/12 N
引用特許：
審査官引用 (4件)
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