特許
J-GLOBAL ID：200903055806252918

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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宮永 昭治

宮永 昭治 について

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三津木 亨

三津木 亨 について

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大谷 久

大谷 久 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-144475
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294859
出願日： 2005年05月17日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 絶縁膜表面に、結晶質を改良し、またその成長速度も改良した横成長法の単結晶に匹敵する半導体薄膜を形成することを可能にし、高性能の半導体装置を安価に提供する。【解決手段】 基板100上に、下地絶縁膜103として熱酸化膜を形成し、表面の凹凸105a〜105dを平滑化する。平滑化された下地絶縁膜103上に非晶質半導体薄膜を形成し、結晶化することで前記下地絶縁膜103上に複数の棒状または扁平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜を形成することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板表面を平滑化し、 平滑化された前記基板上に絶縁膜を形成し、 前記絶縁膜上に複数の棒状または扁平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (4件)：
H01L21/20 ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627A
Fターム (81件)：
5F110AA01 ,  5F110AA18 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE34 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28 ,  5F152AA02 ,  5F152AA06 ,  5F152AA07 ,  5F152AA12 ,  5F152BB02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC07 ,  5F152CC20 ,  5F152CD04 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD23 ,  5F152CE05 ,  5F152CE13 ,  5F152CE14 ,  5F152CE24 ,  5F152CE35 ,  5F152CE36 ,  5F152CE37 ,  5F152CE45 ,  5F152CF12 ,  5F152CF18 ,  5F152DD07 ,  5F152EE14 ,  5F152EE15 ,  5F152EE16 ,  5F152FF21 ,  5F152FF22 ,  5F152FF26
引用特許：
審査官引用 (5件)
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