半導体装置とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-074871
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273206
出願日： 2002年03月18日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】良好なトランジスタ特性が得られる、STIを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体素子を形成したシリコン基板1と、シリコン基板に形成され、表面から次第に幅が狭くなる台形状の断面形状を有し、シリコン基板中の活性領域を分離する素子分離用トレンチ6と、トレンチ表面に形成され、1〜5nmの厚さを有する酸化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜の第1ライナ絶縁層7と、第1ライナ絶縁層の上に形成され、2〜8nmの厚さを有する窒化シリコン膜の第2ライナ絶縁層8と、第2ライナ絶縁層の画定する凹部を埋め込む素子分離領域9と、を有する。

請求項（抜粋）：

半導体素子を形成したシリコン基板と、前記シリコン基板に形成され、表面から次第に幅が狭くなる台形状の断面形状を有し、前記シリコン基板中の活性領域を分離する素子分離用トレンチと、前記トレンチ表面に形成され、1〜5nmの厚さを有する酸化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜の第1ライナ絶縁層と、前記第1ライナ絶縁層の上に形成され、2〜8nmの厚さを有する窒化シリコン膜の第2ライナ絶縁層と、前記第2ライナ絶縁層の画定する凹部を埋め込む素子分離領域と、を有する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/76 , H01L 27/08 331

FI (2件)：

H01L 27/08 331 A , H01L 21/76 V

Fターム (30件)：

5F032AA40 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA46 , 5F032AA77 , 5F032CA03 , 5F032CA17 , 5F032CA20 , 5F032DA03 , 5F032DA04 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA25 , 5F032DA27 , 5F032DA28 , 5F032DA33 , 5F032DA34 , 5F032DA53 , 5F048AA04 , 5F048AA07 , 5F048AB04 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BE04 , 5F048BF06 , 5F048BG14 , 5F048DA23

引用特許：

審査官引用 (5件)

トレンチ隔離の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-287090 出願人：三星電子株式会社
分離部材を形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-159235 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開昭58-009333

全件表示

前のページに戻る