特許
J-GLOBAL ID：200903026397549318
トレンチ隔離の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-287090
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124303
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 トレンチエッチングマスクが活性領域に与えるストレスを最小化でき、上部エッジ部位に発生される凹みを防止し、窒化膜ライナの厚さを増加させることができるトレンチ隔離の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板200上に、半導体基板側に位置する最低膜として、窒化膜より相対的に半導体基板に与えるストレスが少ない、例えばポリシリコン膜203を用いてトレンチエッチングマスクを形成することを特徴とするトレンチ隔離の製造方法。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、該半導体基板側の最低膜が、窒化膜より相対的に半導体基板に与えるストレスが少ない膜質の膜となるようにトレンチエッチングマスクを形成する段階と、前記トレンチエッチングマスクを使用して半導体基板をエッチングしてトレンチを形成する段階と、前記トレンチの内壁に熱酸化膜を形成する段階と、前記熱酸化膜及びトレンチエッチングマスク上に窒化膜ライナを形成する段階と、前記トレンチを充填するために、前記窒化膜ライナ上にトレンチ隔離膜を形成する段階と、前記トレンチ以外の領域のトレンチ隔離膜を除去するため、前記トレンチ隔離膜を平坦化エッチングする段階と、前記トレンチエッチングマスクを除去する段階と、を含むことを特徴とするトレンチ隔離の製造方法。
引用特許：
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