プログラム化パルス電気めっき法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-515051
公開番号（公開出願番号）：特表2001-519480
出願日： 1998年10月05日
公開日（公表日）： 2001年10月23日
要約：

【要約】本発明は、金属を基板上へ電着する方法であって、ピーク逆電流密度及びピーク順電流密度を利用して、パルス周期的逆電流をめっきセルの電極を通して適用する工程、及び、ピーク逆電流密度対ピーク順電流密度の比を周期的サイクルで変化させ、均一な外観、微細な粒子構造及び均一な厚さを有する金属析出物を提供する工程を含むことを特徴とする方法に関する。更に本発明は、プログラム化パルス周期的逆電流調節を使用することにより、特に不均一な表面又は開口を有する基板における電着物の性質を増強する方法に関する。更に本発明は、陽極対陰極電流密度比を変化させて、高電流密度均一電着性を維持しながら、電着物の均一な表面外観、微細な粒子構造及び均一性を改善することを含んでいる。

請求項（抜粋）：

金属を基板上へ電着する方法であって、ピーク逆電流密度及びピーク順電流密度を利用して、パルス周期的逆電流をめっきセルの電極を通して適用する工程、及び、ピーク逆電流密度対ピーク順電流密度の比を周期的サイクルで変化させて、均一な外観、微細な粒子構造及び均一な厚さを有する金属析出物を提供する工程、を含むことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

C25D 5/18 , C25D 3/38 101

FI (2件)：

C25D 5/18 , C25D 3/38 101

Fターム (13件)：

4K023AA19 , 4K023BA06 , 4K023CA09 , 4K023CB07 , 4K023CB33 , 4K023DA07 , 4K024AA09 , 4K024AB19 , 4K024BB11 , 4K024CA08 , 4K024CB05 , 4K024CB21 , 4K024GA02

引用特許：

審査官引用 (9件)

高速めっき方法及び該方法に使用する電源装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-314389 出願人：株式会社三井ハイテック
電流反転電解法による薄膜回路製造方法ならびにそれを用いた薄膜回路基板、薄膜多層回路基板および電子回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-125945 出願人：株式会社日立製作所
特開昭63-297590

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