特許
J-GLOBAL ID：200903055846129590

プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法

発明者：
中嶋 一明

中嶋 一明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-238753
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082686
出願日： 1995年09月18日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】多結晶シリコン膜に対して高融点金属膜を選択的に異方性エッチングできるプラズマエッチング装置を提供すること。【解決手段】周辺リング16として石英製のものを用い、反応性ガス供給ライン40に流す反応性ガスとして、流量比O2 /(SF6 +O2 )が50〜80%に設定されたSF6 ガスとO2 ガスとからなる混合ガスを用いる。
請求項（抜粋）：
シリコン膜、高融点金属膜が順次積層してなる積層膜を有する基板を収容し、プラズマを用いて前記積層膜の異方性エッチングを行なうところの処理容器と、この処理容器内に、前記プラズマとなる弗素および塩素の少なくとも一方を含むハロゲン含有ガスならびに酸素含有ガスを含むプラズマ源ガスを導入する手段と、前記処理容器内に設けられ、前記基板を載置する載置台と、前記処理容器内に前記基板の周辺に設けられ、前記異方性エッチング中における前記ハロゲン含有ガスと前記酸素含有ガスとの混合ガスに対する前記酸素含有ガスの体積%を所定の範囲に維持する材料から形成された周辺部材とを具備してなることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 E ,  H05H 1/46 A
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-167840   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 灰化処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-323144   出願人：エム・シー・エレクトロニクス株式会社
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-284208   出願人：東京エレクトロン株式会社

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