不揮発性半導体記憶装置およびそれを用いた電子カードと電子装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-114762
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319048
出願日： 2003年04月18日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】フラッシュメモリを用いたシステムの構成デバイス数を低減し、システムを安価に実現する。【解決手段】フラッシュメモリを用いたシステムをブートするためのROMに匹敵する機能をフラッシュメモリ自身に持たせる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電気的にデータの書換可能な複数の不揮発性半導体メモリセルと、前記不揮発性半導体メモリセルに対するデータ書き込み/読み出しのために外部との間でデータを授受するインターフェイス部と、前記不揮発性半導体メモリセルを制御するための制御回路とを具備し、前記インターフェイス部と制御回路は、第1の起動手順を経て前記不揮発性半導体メモリセルからデータを読み出し、(N+M)(Nは2のn乗、nは正の整数、N>M)バイトのデータを連続して前記インターフェイス部を介して出力する第1の読み出しモードと、第2の起動手順を経て前記不揮発性半導体メモリセルからデータを読み出し、K(Kは2のk乗、kは正の整数)バイトのデータを連続して前記インターフェイス部を介して出力する第2の読み出しモードとを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (13件)：

G11C16/06 , G06F3/06 , G06F3/08 , G06F12/00 , G06F12/06 , G06F12/16 , G06K17/00 , G06K19/07 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (11件)：

G11C17/00 639C , G06F3/06 305C , G06F3/08 H , G06F12/00 597U , G06F12/06 520F , G06F12/16 320F , G06K17/00 D , H01L27/10 461 , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , G06K19/00 N

Fターム (35件)：

5B018GA04 , 5B018HA14 , 5B018NA06 , 5B018QA11 , 5B025AD13 , 5B025AD16 , 5B025AE08 , 5B025AE09 , 5B035BB09 , 5B035CA11 , 5B058CA23 , 5B058KA21 , 5B060MM02 , 5B065BA05 , 5B065EA03 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP55 , 5F083EP76 , 5F083ER09 , 5F083ER19 , 5F083ER22 , 5F083LA07 , 5F083LA10 , 5F083ZA13 , 5F083ZA14 , 5F101BA01 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BC11 , 5F101BD34 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07

引用特許：

審査官引用 (3件)

不揮発性半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-355149 出願人：株式会社東芝
システムのブートアップメモリとして使用可能な不揮発性フラッシュメモリ装置及びその動作方法。
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-145292 出願人：三星電子株式会社
半導体メモリ装置及びこれに用いるデータリード方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-058741 出願人：三星電子株式会社

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