特許
J-GLOBAL ID：200903074949279803
半導体メモリ装置及びこれに用いるデータリード方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-058741
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373496
出願日： 2002年03月05日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：
【要約】【課題】 NAND構造からなるメモリセルアレイの物理的アドレスが先にあるメインメモリアレイより先にスペアメモリアレイのデータを優先的にリードできる不揮発性半導体メモリ装置及びこれに用いるデータリード方法を提供する。【解決手段】 複数のNANDセルストリングでなったメインメモリアレイ10とスペアメモリアレイ20とをもつメモリセルアレイを備えた不揮発性半導体メモリ装置及びこれに用いるデータリード方法であって、メインメモリアレイ10の物理的アドレスがスペアメモリアレイ20の物理的アドレスよりも先にある場合にもスペアスタート全体ページシーケンシャルリードモードに進入する外部コマンドに応答してスペアメモリアレイ20の論理的アドレスをメインメモリアレイ10の論理的アドレスより先にくるように指定することにより、スペアメモリアレイ20に貯蔵されたデータが優先的にリードされるようにする。
請求項（抜粋）：
複数のNANDセルストリングでなったメインメモリアレイとスペアメモリアレイとをもつメモリセルアレイを備えた不揮発性半導体メモリ装置に用いるデータリード方法において、前記メインメモリアレイの物理的アドレスが前記スペアメモリアレイの物理的アドレスよりも先にある場合にもスペアスタート全体ページシーケンシャルリードモードに進入する外部コマンドに応答して前記スペアメモリアレイの論理的アドレスを前記メインメモリアレイの論理的アドレスより先にくるように指定することにより、前記スペアメモリアレイに貯蔵されたデータが優先的にリードされるようにすることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置のデータリード方法。
IPC (4件)：
G11C 16/02
, G06F 12/16 310
, G11C 16/04
, G11C 16/06
G06F 12/16 310 P
, G11C 17/00 613
, G11C 17/00 622 E
, G11C 17/00 601 E
, G11C 17/00 639 C
5B018GA04
, 5B018HA14
, 5B018NA06
, 5B025AA01
, 5B025AD01
, 5B025AD05
, 5B025AD13
, 5B025AE05
