特許
J-GLOBAL ID：200903055858194649

AlGaInP系発光ダイオード及びその製造方法

発明者：
柴田 真佐知

柴田 真佐知 について

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今野 泰一郎

今野 泰一郎 について

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金田 直樹

金田 直樹 について

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柴田 憲治

柴田 憲治 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-206415
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036132
出願日： 1999年07月21日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 容易なプロセス及び汎用の成長装置を用いて、活性層から発した光をチップ外部へ効率良く取り出せるようにしたAlGaInP系発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】 裏面に下部電極8が設けられたGaAs基板1上に少なくとも、DBR層3と、クラッド層4と、そのクラッド層4よりバンドギャップエネルギーが小さい組成の活性層5と、その活性層5よりバンドギャップエネルギーが大きい組成の他のクラッド層6と、電流拡散層7とが順次積層され、その電流拡散層7表面の一部に上部電極9が設けられたAlGaInP系発光ダイオード及びその製造方法において、上記電流拡散層7と上記上部電極9との間に、その上部電極9と同形状でかつAlGaAs系材料からなる他のDBR層10を形成する。
請求項（抜粋）：
裏面に下部電極が設けられn型導電性を有するGaAs基板上に少なくとも、n型DBR層と、AlGaInP系材料からなるn型クラッド層と、該n型クラッド層よりバンドギャップエネルギーが小さい組成のAlGaInP系材料からなる活性層と、該活性層よりバンドギャップエネルギーが大きい組成のAlGaInP系材料からなるp型クラッド層と、AlGaInP系材料からなるp型電流拡散層とが順次積層され、該p型電流拡散層表面の一部に上部電極が設けられたAlGaInP系発光ダイオードにおいて、上記p型電流拡散層と上記上部電極との間に、その上部電極と同形状でかつAlGaAs系材料からなるp型DBR層が挿入されていることを特徴とするAlGaInP系発光ダイオード。
Fターム (11件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15
引用特許：
審査官引用 (5件)
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