特許
J-GLOBAL ID：200903055861259115
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-134469
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350189
出願日： 1993年06月04日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 電流ブロック層が上側クラッド層の上に形成されているGaAsを基板とする半導体レーザにおいて、横方向の光閉じ込めを強める。【構成】 GaAsを基板1とし、活性層4のバンドギャップがGaAsよりも小さい電流ブロック型半導体レーザにおいて、GaAs基板1と反対側の主クラッド層5,6上にストライプ状電流通路領域を除いて形成されたAlGaInP(Ga組成が零の場合を含む)の電流ブロック層7と、電流ブロック層7に挟まれたストライプ状電流通路領域の主クラッド層6上に形成されたGaAsの補助クラッド層8とを備えている。
請求項（抜粋）：
GaAsを基板とし、活性層のバンドギャップがGaAsよりも小さい電流ブロック型半導体レーザにおいて、前記基板と反対側の主クラッド層上にストライプ状電流通路領域を除いて形成されたAlGaInP(Ga組成が零の場合を含む)の電流ブロック層と、前記電流ブロック層に挟まれたストライプ状電流通路領域の前記主クラッド層上に形成されたGaAsの補助クラッド層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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