レーザ熱処理方法、レーザ熱処理装置および半導体デバイス

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-090439
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286195
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】高移動度の薄膜トランジスタを実現するために、結晶性に優れた多結晶珪素膜を形成するレーザ熱処理方法、レーザ熱処理装置を提供する。【解決手段】波長が350nm以上800nm以下であるパルスレーザ光源により発生されるレーザビームを、幅方向に3mJ/cm2/μm以上のエネルギー密度勾配を有する線状ビームに成形して照射、珪素膜のレーザ熱処理を行う。

請求項（抜粋）：

波長が350nm以上800nm以下であるパルスレーザ光源により発生されるレーザビームを、幅方向に3mJ/cm2/μm以上のエネルギー密度勾配を有する線状ビームに成形して、基板上に形成された基板上膜材料に照射することを特徴とするレーザ熱処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 J , H01L 29/78 627 G

Fターム (26件)：

5F052AA02 , 5F052BA02 , 5F052BA07 , 5F052BB03 , 5F052CA04 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052EA11 , 5F052FA05 , 5F052FA07 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG47 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP23 , 5F110PP24

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体薄膜およびその製造方法および薄膜半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-234368 出願人：シャープ株式会社
特開平4-307727
薄膜半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-168098 出願人：ソニー株式会社

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