半導体薄膜およびその製造方法および薄膜半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-234368
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074198
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】表面ラフネスを低減でき、高品質な半導体薄膜およびその製造方法を提供し、上記半導体薄膜を素子材料として、高性能でかつ信頼性,安定性が高く、複数の素子間の特性の均一性が高い薄膜半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に膜中水素濃度が1×1020atoms/cm3以下の非晶質または微結晶状態のケイ素膜を形成し、そのケイ素膜にエネルギービームを照射することによってケイ素膜を結晶化させる。

請求項（抜粋）：

膜中水素濃度が1×1020atoms/cm3以下の非晶質または微結晶状態のケイ素膜にエネルギービームを照射することによって結晶化させたケイ素膜であることを特徴とする半導体薄膜。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 27/12 R , H01L 29/78 618 A , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 E

引用特許：

審査官引用 (6件)

多結晶半導体膜およびこれを用いた薄膜トランジスタ並びに多結晶半導体膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-092260 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-294607 出願人：シャープ株式会社
特開平4-311038

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