リンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法及び集積回路の作製におけるトレンチ分離の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：社本一夫 , 小野新次郎 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 細川伸哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-518759
公開番号（公開出願番号）：特表2007-521658
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：

本発明はリンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法及び集積回路の作製におけるトレンチ分離の形成方法を含む。一実施において、リンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法は堆積チャンバー中で基板の位置決めをすることを含む。第1及び第2気相反応物をリンでドープした二酸化ケイ素含有層を該基板上に堆積するために有効な条件下で交互の且つ時間を置いたパルスで複数の堆積サイクルで該チャンバー中の該基板へ導入する。該第1及び第2気相反応物の一つはRがヒドロカルビルであるPO(OR)3であり、そして該第1及び第2気相反応物の他の反応物はRがヒドロカルビルであるSi(OR)3OHである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

堆積チャンバー内で基板の位置決めを行い;そしてリンでドープした二酸化ケイ素含有層を該基板上に堆積させるために有効な条件下で該チャンバー中で第1及び第2気相反応物であって、該第1及び第2気相反応物の一つがRがヒドロカルビルであるPO(OR)3であり、そして該第1及び第2気相反応物の他の反応物がRがヒドロカルビルであるSi(OR)3OHである反応物を交互の且つ時間を置いたパルスで複数の堆積サイクルで該基板へ導入することを含有する、リンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , C23C 16/42

FI (2件)：

H01L21/316 C , C23C16/42

Fターム (23件)：

4K030AA06 , 4K030AA08 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA26 , 4K030BA42 , 4K030EA03 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BC05 , 5F058BF02 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF33 , 5F058BG03 , 5F058BJ06

引用特許：

審査官引用 (3件)

高温処理チャンバ用リッドアセンブリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-312032 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
二酸化ケイ素を含む膜の原子層化学蒸着
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-542604 出願人：エイエスエムマイクロケミストリオーワイ
半導体装置とその製造方法及びその製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-197844 出願人：株式会社日立製作所

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