特許
J-GLOBAL ID：200903055933337515

金属膜作製装置及びキャパシタ製造装置及び強誘電体メモリ製造装置及び金属膜作製方法

発明者：
坂本 仁志

坂本 仁志 について

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大庭 義行

大庭 義行 について

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小林 千香子

小林 千香子 について


出願人/特許権者：
三菱重工業株式会社

三菱重工業株式会社 について


代理人 (4件)： 光石 俊郎 ,  光石 忠敬 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-138193
公開番号（公開出願番号）：特開2005-320565
出願日： 2004年05月07日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】 貴金属薄膜を作製するため、ダメージを抑える金属膜(特に高融点金属)を基板の、特に微細な穴の底面だけに、均一にしかも高速に作製することができる金属膜作製装置とする。【解決手段】 タンタル(Ta)製の被エッチング部材11が備えられたチャンバ1内にハロゲンを含有する原料ガスとしてのCl2ガスを供給し、被エッチング部材11に対してプラズマを発生させCl2ガスで被エッチング部材11をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるTa成分とCl2ガスとの前駆体TaClを生成し、表面に微細穴(トレンチ)が形成された基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くし、トレンチの(底面の金属被覆厚/壁面の金属被覆厚)である被覆率を1より大きくするような状態にCl2ガス成分量を調整してトレンチの底面だけにTa成分を成膜させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
表面に微細穴が形成された基板が収容されるチャンバと、 基板が対向する位置におけるチャンバに設けられる金属製の被エッチング部材と、 チャンバの内部にハロゲンを含有する原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、 チャンバの内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれる金属成分と原料ガスとの前駆体を生成するプラズマ発生手段と、 基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすることにより前駆体の金属成分を基板側に成膜可能とすると共に前駆体の金属成分を表面の微細穴の底面だけに成膜させる制御調整手段と を備えたことを特徴とする金属膜作製装置。
IPC (6件)：
C23C16/04 ,  C23C16/14 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C23C16/507 ,  H01L27/105
FI (7件)：
C23C16/04 ,  C23C16/14 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C23C16/507 ,  H01L27/10 444C ,  H01L27/10 444A
Fターム (27件)：
4K030AA02 ,  4K030BA01 ,  4K030BA14 ,  4K030BA17 ,  4K030BA42 ,  4K030BB12 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030FA04 ,  4K030FA10 ,  4K030FA14 ,  4K030GA12 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030KA24 ,  4K030KA25 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F083FR00 ,  5F083FR07 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR21
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 金属膜作製装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-348315   出願人：三菱重工業株式会社
  • Bi層状強誘電体薄膜の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-281531   出願人：日本電気株式会社, シンメトリクスコーポレーション
審査官引用 (1件)

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