特許

J-GLOBAL ID：200903055984061352

プラズマ処理装置

発明者： 有働 竜二郎 ,  荒井 雅嗣 ,  角谷 匡規
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-238819
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079820
出願日： 2002年08月20日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】ウエハ面内において均一な処理を行えるプラズマ処理装置を提供することにある。【解決手段】試料を処理する処理室と、前記処理室を減圧する真空排気手段と、前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室内で処理される試料を保持する試料保持手段と、前記試料保持手段にバイアス電位を印加するバイアス印加手段と、前記試料保持手段に前記試料を静電吸着させる静電吸着手段と、前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを有するプラズマ処理装置において、前記試料保持手段の上面は段差を有しており、最上段には前記試料が載置され、前記試料の載置面よりも低い面には前記バイアス電位が印加可能な導電体からなるリング状部材が設けられ、かつ、前記リング状部材の上面は前記試料の上面と同一かあるいは低く、前記リング状部材の上面を誘電体からなる部材が覆ったプラズマ処理装置からなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

試料を処理する処理室と、前記処理室を減圧する真空排気手段と、前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室内で処理される試料を保持する試料保持手段と、前記試料保持手段にバイアス電位を印加するバイアス印加手段と、前記試料保持手段に前記試料を静電吸着させる静電吸着手段と、前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを有するプラズマ処理装置において、 前記試料保持手段の上面は段差を有しており、最上段には前記試料が載置され、前記試料の載置面よりも低い面には前記バイアス電位が印加可能な導電体からなるリング状部材が設けられ、かつ、前記リング状部材の上面は前記試料の上面と同一かあるいは低く、前記リング状部材の上面を誘電体からなる部材が覆っていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

FI (3件)：

H01L21/205 ,  H05H1/46 A ,  H01L21/302 101D

Fターム (16件)：

5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004CA06 ,  5F045AA09 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH02

引用特許：

審査官引用 (5件)

• マグネトロンプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-207410   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開平4-279044
  
• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-179616   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 自己クリーニングフォーカスリング
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-159809   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-232132   出願人：株式会社日立製作所