特許
J-GLOBAL ID：200903008721462125

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者：
増田 俊夫

増田 俊夫 について

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高橋 主人

高橋 主人 について

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福山 良次

福山 良次 について

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田村 智行

田村 智行 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-232132
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057363
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】【課題】安定性・再現性にすぐれたプラズマ処理装置を提供する【解決手段】処理室100内に設けられたUHF帯アンテナ110から放射される電磁波と,処理室100の周囲に設置された磁場形成手段101で形成される磁場との相互作用により,処理室内部にプラズマを発生してウエハWを処理するプラズマ処理装置において,ウエハ外周部にもうけたシリコン製の試料台リングにバイアスを印加して反応生成物が堆積しない状態として,さらにウエハ処理中の試料台リング表面の温度を概略150 °C以上とすることで,試料台リング表面での反応を安定化させて,プロセスの安定性・再現性を確保する。
請求項（抜粋）：
真空容器としての処理室と,前記処理室内にプラズマを発生するプラズマ発生装置と,前記処理室内で処理される試料を保持する電極と,前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と,前記処理室を減圧する真空排気系とを有するプラズマ処理装置において,前記電極の上面の試料外周部にシリコンよりなるリング状部材を設置し,前記リング状部材にバイアスが印加可能であり,前記リング状部材に反応生成物が堆積しないような強さ以上に前記バイアスが設定可能であり,前記試料の処理開始時のリング状部材の表面温度を概略150°C以上に昇温可能に構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 L ,  H05H 1/46 M
Fターム (27件)：
4K057DA01 ,  4K057DA16 ,  4K057DG14 ,  4K057DG15 ,  4K057DM05 ,  4K057DM08 ,  4K057DM28 ,  4K057DM33 ,  4K057DM39 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA14 ,  5F004AA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BD01 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06
引用特許：
審査官引用 (7件)
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